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申请/专利权人：南京航空航天大学无锡研究院
摘要：本发明属于陶瓷制品烧结成型技术领域，具体涉及一种Si‑HfO2块体陶瓷材料及其制备方法。本发明的Si‑HfO2块体陶瓷材料包括摩尔比为85%‑90%：10%‑15%的Si和HfO2两种熔点不同的粉体，所述块体陶瓷材料中Si和HfO2未发生相变，块体陶瓷材料的气孔率4.287%‑7.265%，实际密度为2.7826‑2.9171gcm3。本发明制备所得Si‑HfO2块体陶瓷材料致密度高，无裂纹缺陷，物理性能良好，能满足实验研究要求，能够降低实验成本，有一定的经济效益。
主权项：1.一种Si-HfO2块体陶瓷材料，其特征在于，所述块体陶瓷材料包括摩尔比为85%-90%：10%-15%的Si和HfO2两种熔点不同的粉体，所述块体陶瓷材料中Si和HfO2未发生相变，所述块体陶瓷材料的气孔率4.287%-7.265%，实际密度为2.7826-2.9171gcm3。
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权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学无锡研究院 一种Si-HfO2块体陶瓷材料及其制备方法
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