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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

摘要：一种材料导热系数和热阻的测量方法，涉及半导体技术领域。将待测材料置于两个功率半导体器件底部PAD之间，形成功率半导体器件、待测材料、功率半导体器件的三明治结构，测量半导体器件在检测电流I1条件下，跨电压VF和温度T之间的关系曲线系数K1；检测25℃条件下半导体器件在检测电流I1条件下的跨电压VF1；根据Tjx=25℃+VFx‑VF1*K1，获得半导体器件在跨电压VFX下对应结温Tjx；检测下方半导体器件在检测电流I1条件下的跨电压VF2；检测上方的半导体器件在检测电流I1条件下的跨电压VF3，求得下方半导体器件的结温Tj1和上方半导体器件的结温Tj2，最终计算待测材料的导热系数和热阻。测试方法简单、成本低，可广泛应用于各种材料导热系数和热阻的测量。

主权项：1.一种材料导热系数和热阻的测量方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤S100，将半导体器件（1）置于高低温箱中，测量半导体器件（1）在检测电流I1条件下，跨电压VF和温度T之间的关系曲线系数K1，即K1=（VFx-VFy）（Tx-Ty），VFx、VFy分别是半导体器件（1）在温度Tx、Ty条件的跨电压；步骤S200，用热阻测试仪测量半导体器件（1）内部芯片PN结到底部PAD的热阻RTHJC；步骤S300，将待测材料（2）置于一对半导体器件（1）的PAD之间；步骤S400，检测25℃条件下半导体器件（1）在检测电流I1条件下的跨电压VF1；根据Tjx=25℃+VFx-VF1*K1，获得半导体器件（1）在跨电压VFX下对应结温Tjx；步骤S500，对下方的半导体器件（1）施加加热功率P；检测下方半导体器件（1）在检测电流I1条件下的跨电压VF2；检测上方的半导体器件（1）在检测电流I1条件下的跨电压VF3；步骤S600，将跨电压VF2和跨电压VF3分别与跨电压VF1代入Tjx=25℃+VFx-VF1*K1中，求得下方半导体器件（1）的结温Tj1和上方半导体器件（1）的结温Tj2，Tj1=25℃+VF2-VF1*K1,Tj2=25℃+VF3-VF1*K1；步骤S700，计算下方半导体器件（1）内部芯片PN结到上方半导体器件（1）内部芯片PN结的热阻RTHJ1J2=（Tj1-Tj2）P；步骤S800，计算待测材料的热阻RTH=RTHJ1J2-2RTHJC，待测材料的导热系数λ=L（RTH*S）。

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