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一种半导体生产装置及能效优化控制方法 

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申请/专利权人:江苏墨安电子有限公司

摘要:本发明公开了一种半导体生产装置及能效优化控制方法,属于半导体生产技术领域,该半导体生产装置包括CVD设备主体;传输机构;排气机构;驱动机构;移运机构;控制机构;该半导体生产装置能效优化控制方法,通过排气机构与传输机构控制,利用定时开关的开闭不间断的实现多个半导体晶片镀膜,同时控制内部热量的循环利用;该装置可批量进行半导体的化学气相沉积镀膜,同时可根据不同半导体材料镀膜的不同反应时间调控整体机械结构,生产高效;且本半导体生产装置的能效优化控制方法,该方法精确控制反应气体流出,同时回收反应后产生的热能,有效减少设备整体能耗,且避免反应气体浪费。

主权项:1.一种半导体生产装置,其特征在于,包括:CVD设备主体,所述CVD设备主体包括壳体1及壳体1顶部的反应保护罩2,所述反应保护罩2内部设有固定在壳体1上的加热板3,反应保护罩2上连接有供气管4,所述壳体1内部设有供应机构10,供应机构10用于设备整体供电及供气,供气管4远离反应保护罩2端延伸至壳体1内部与所述供应机构10连接,所述加热板3中部设有与加热板3脱离的导热板11;传输机构5,所述传输机构5包括一端伸入壳体1内部的第一传输带501,第一传输带501远离壳体1端外部固定有保温罩502,所述第一传输带501上固定有若干组卡爪,每组卡爪设有若干卡块503,所有的卡块503沿圆形方向排列,卡爪内部卡接有样品载盘504;排气机构6,所述排气机构6包括固定在所述反应保护罩2上的排气管601,排气管601远离排气机构6端沿保温罩502一端插入延伸至所述第一传输带501上方,排气管601穿过保温罩502后连接尾气处理设备;驱动机构7,所述驱动机构7包括固定在所述导热板11底部的活塞杆701,活塞杆701远离导热板11端固定有气缸702;移运机构8,所述移运机构8包括固定在壳体1内壁上的弧形行程滑轨801,弧形行程滑轨801内部滑动连接有移运爪802;控制机构9,所述控制机构9包括转动连接在壳体1上的曲杆901,曲杆901远离壳体1端连接有控制盒902,控制盒902上集成有若干的控制按钮903,控制盒902内部集成有PLC控制模块;所述排气管601外部固定电磁阀602,排气管601内部固定有导热金属管603,导热金属管603侧面固定有导热金属环状管604,导热金属环状管604外部固定有封板605,导热金属环状管604沿导热金属管603长度方向设有若干,所述保温罩502内部固定有隔断板,隔断板将保温罩502内部区域分割为若干的独立区域,每个独立区域内部均设有一导热金属环状管604,封板605侧面连接有供液管606,供液管606远离封板605端沿保温罩502侧面伸出,供液管606间隔设置,每个供液管606均连接有不同的酸洗液供应设备。

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