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申请/专利权人：宁波甬兴电子有限公司
摘要：本发明提供一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，包括以下步骤：一、根据成分配比要求，将氧化铟与氧化锡进行混合得到混合粉体，然后掺入造粒助剂，得到ITO浆料；二、将ITO浆料进行造粒处理，得到ITO造粒粉体；三、将ITO造粒粉体分成两部分；四、将第一部分的ITO造粒粉体进行预烧，得到预烧粉体；五、将预烧粉体与第二部分的ITO造粒粉体混合，并进行预压成型，得到ITO素坯；六、将ITO素坯放入脱脂炉中进行脱脂处理；七、将处理后的ITO素坯放入烧结炉内在常压空气气氛中进行烧结处理。预烧粉体在烧结过程中充当大颗粒骨架，使得靶材在具有低相对密度的同时，还兼具较高的结合强度，提高靶材的抗热冲击性，有效避免蒸镀过程中靶材开裂导致薄膜不均匀的问题。
主权项：1.一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、根据成分配比要求，按照氧化铟90-97％、氧化锡3-10％的质量比进行混合得到混合粉体，然后掺入造粒助剂得到ITO浆料；步骤二、将步骤一所得的ITO浆料进行造粒处理，得到ITO造粒粉体；步骤三、将步骤二所得ITO造粒粉体分成两部分，第一部分的ITO造粒粉体的质量百分含量为30-70%，第二部分的ITO造粒粉体的质量百分含量为30-70%，所述第一部分和第二部分ITO造粒粉体的质量总和为100%；步骤四、将第一部分的ITO造粒粉体进行预烧处理，得到预烧粉体；步骤五、将步骤四所得预烧粉体与第二部分的ITO造粒粉体混合，并进行预压成型，得到ITO素坯；步骤六、将步骤五所得ITO素坯放入脱脂炉中进行脱脂处理；步骤七、将步骤六处理后的ITO素坯放入烧结炉内在常压空气气氛中进行烧结处理，得到低密度ITO蒸镀靶材。
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权利要求：
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