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申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
摘要：一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层，掺杂的III‑V半导体层，多个填充物和栅极。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上。掺杂的III‑V半导体层设置在第二氮化物基半导体层上，并在第二氮化物基半导体层上沿第一方向延伸。掺杂的III‑V半导体层包括沿第一方向布置的多个段。填充物设置在第二氮化物基半导体层上，并沿第一方向与掺杂的III‑V半导体层的段一起设置。栅极设置在掺杂的III‑V半导体层上，并在掺杂的III‑V半导体层上沿第一方向延伸。栅极跨越填充物。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层上并具有比所述第一氮化物基半导体层大的带隙；掺杂的III-V半导体层，其设置在所述第二氮化物基半导体层上并且在所述第二氮化物基半导体层上沿第一方向延伸，其中所述掺杂的III-V半导体层包括沿所述第一方向布置的多个段；多个填充物，其设置在所述第二氮化物基半导体层上并沿所述第一方向与所述掺杂III-V半导体层的所述段一起设置；以及栅极，其设置在所述掺杂的III-V半导体层上并在所述掺杂的III-V半导体层上沿所述第一方向延伸，其中所述栅极跨越所述填充物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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