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申请/专利权人：广东致能科技有限公司
摘要：本揭露涉及一种III‑V族半导体超结器件，包括：第一势垒柱；第一沟道柱，第一沟道柱和第一势垒柱相邻并位于第一势垒柱的一侧，第一沟道柱中邻近第一沟道柱与第一势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第二势垒柱，第二势垒柱和第一沟道柱相邻并位于第一沟道柱的另一侧，第一沟道柱中邻近第一沟道柱与第二势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG，二维电子气2DEG和二维空穴气2DHG形成超结；第一掺杂层，其至少设置在第一沟道柱与至少一势垒柱上方；第一掺杂区，设置在第一掺杂层内；第二掺杂区，设置在第一掺杂层远离第一掺杂区的一侧。本揭露还涉及一种GaN超结器件的制造方法。
主权项：1.一种III-V族半导体超结器件，包括：第一势垒柱；第一沟道柱，第一沟道柱和所述第一势垒柱相邻并位于所述第一势垒柱的一侧，所述第一沟道柱中邻近第一沟道柱与第一势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第二势垒柱，所述第二势垒柱和所述第一沟道柱相邻并位于所述第一沟道柱的另一侧，所述第一沟道柱中邻近第一沟道柱与第二势垒柱的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG，所述二维电子气2DEG和二维空穴气2DHG形成超结；其中，所述二维电子气2DEG和二维空穴气2DHG中具有相近的面密度；其中，第一势垒柱、第一沟道柱和第二势垒柱包括III-V族半导体；第一掺杂层，其至少设置在第一沟道柱与至少一势垒柱上方；第一掺杂区，设置在所述第一掺杂层内；第二掺杂区，设置在所述第一掺杂层远离所述第一掺杂区的一侧；第一电极，其设置在所述第一势垒柱和所述第一沟道柱下方，至少电耦合至所述2DEG；第二电极，其设置在所述第一势垒柱上方，电耦合至所述2DEG，与所述第一掺杂区形成电连接；栅电极，其经配置以控制所述第二电极与所述第一电极之间的沟道；其中，所述第一势垒柱、第二势垒柱和第一沟道柱为III-V族半导体材料，所述第一势垒柱与所述第一沟道柱具有大致相同的晶体质量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东致能科技有限公司 一种III-V族半导体超结器件及其制造方法
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