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申请/专利权人：中国科学技术大学
摘要：本发明提供了一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法。本发明的生长装置包括气相控制室和设置于气相控制室腔体内部的碳化硅生长室；所述气相控制室包括腔体和设置于腔体顶部的隔绝盖；所述碳化硅生长室包括生长容器和设置于生长容器顶部的开孔基板。本发明装置实现了无惰性气氛保护下碳化硅多孔隔热材料的生长，整个制备流程简单、设备要求低，在普通的马弗炉中即可完成碳化硅生长，无需气压烧结炉等高端设备。
主权项：1.一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置，其特征在于，包括气相控制室和设置于气相控制室腔体内部的碳化硅生长室；所述气相控制室包括腔体和设置于腔体顶部的隔绝盖；所述碳化硅生长室包括生长容器和设置于生长容器顶部的开孔基板；所述生长容器的个数为2~4个，每个生长容器顶部开孔基板孔的数量为10~20个；开孔基板中孔径规格为0.5~1mm；所述气相控制室的垂直方向高度不小于碳化硅生长室的2倍；气相控制室的容积不小于碳化硅生长室的2.5倍；所述碳化硅生长室内部设置有硅源；所述硅源体积为碳化硅生长室容积的60~70%；所述气相控制室内部设置有碳源；所述碳源体积为气相控制室容积的50~100%，且碳源需要将反应室完全包埋。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 一种无惰性气氛保护的碳化硅多孔材料生长装置和生长方法
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