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申请/专利权人：京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层、插入层和P型过渡层，插入层包括层叠的多个周期结构，每个周期结构包括沿远离第二半导体层的方向层叠的N型掺杂子层和P型掺杂子层，并且每个周期结构中N型掺杂子层的掺杂浓度大于P型掺杂子层的掺杂浓度。本公开实施例能改善LED在高温条件下的亮度衰减问题，提高LED的可靠性。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的第一半导体层20、发光层10、第二半导体层21、插入层30和P型过渡层40，所述插入层30包括层叠的多个周期结构31，每个所述周期结构31包括沿远离所述第二半导体层21的方向层叠的N型掺杂子层311和P型掺杂子层312，并且每个所述周期结构31中所述N型掺杂子层311的掺杂浓度大于所述P型掺杂子层312的掺杂浓度。
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权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管及其制备方法
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