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申请/专利权人：厦门大学
摘要：一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻步骤；步骤2：采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层；步骤3：采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层；步骤4：丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。本发明的GeSn悬空结构可以弛豫GeSn合金的应变，实现直接带隙；制备悬空结构的工艺简单，所制备的GeSn悬空结构相比其他工艺具有样品表面平整、粗糙度低、GeSn损耗小的特点；为硅基GeSn发光器件制备提供了一种新型工艺方法，有望在硅基光电子领域发挥巨大的作用。
主权项：1.一种硅基悬空弛豫GeSn结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将外延的硅基GeSn薄膜进行标准光刻工艺；2采用氧化酸性垂直刻蚀溶液刻蚀GeSn薄膜和部分Ge缓冲层；3采用F基等离子体进行横向刻蚀Ge缓冲层形成Ge柱以支撑微盘；4丙酮溶液浸泡去胶，完成结构制备。
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