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申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司
摘要:一种方法,其包括:在介电绝缘层的第一侧上形成第一导电层,在第一导电层的背向介电绝缘层的一侧上形成结构化的掩模层,在第一导电层中形成至少一个沟槽,其中,所述至少一个沟槽延伸穿过整个第一导电层直至介电绝缘层,形成至少覆盖至少一个沟槽的底部和侧壁的涂层,在形成该涂层之后去除掩膜层。
主权项:1.一种用于制造衬底的方法,其包括:在介电绝缘层11的第一侧上形成第一导电层111;在所述第一导电层111的背向所述介电绝缘层11的一侧上形成结构化的掩膜层121;在所述第一导电层111中形成至少一个沟槽124,其中,所述至少一个沟槽124延伸穿过整个第一导电层直至所述介电绝缘层11;形成涂层31,所述涂层至少覆盖所述至少一个沟槽124的底部和侧壁;在形成所述涂层31之后去除所述掩膜层121,其中,如此形成所述第一导电层111,使得所述第一导电层不覆盖所述介电绝缘层11的边缘区域,其中,所述方法还包括:在所述介电绝缘层11的边缘区域上形成所述涂层31,所述边缘区域未被所述第一导电层111覆盖。
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百度查询: 英飞凌科技股份有限公司 用于制造衬底的方法
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