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申请/专利权人：南京理工大学

摘要：本发明公开了一种具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面，包括三层介质基板以及介质基板上的金属单元的设计，可实现基于入射波功率强度的自适应响应。位于顶层的第一介质基板上的金属单元包括四个扇形金属贴片和十六个矩形金属贴片，位于中间层的第二介质基板上的金属单元包括两个矩形金属贴片且呈十字形排列，位于底层的第三介质基板上的金属单元与位于顶层的第一介质基板上的金属单元结构设计相同。本发明的超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面针对不同的功率的输入信号具有较低的插入损耗和较高的屏蔽效能，且在低功率下具有良好的带内传输及带外抑制能力，同时具有良好的角度稳定性。

主权项：1.一种具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元，包括依次层叠的第一层介质基板、第二层介质基板和第三介质基板，三层介质基板均为正方形，且其上均设置有金属单元，其中相邻的两层介质基板通过空气间隙层隔开；其特征在于：位于顶层的第一介质基板上的金属单元为上下、左右对称结构，顶层金属单元包括四个扇形金属贴片、八个第一矩形金属贴片和八个第二矩形金属贴片，扇形金属贴片位于第一介质基板的四个角，每两个相邻扇形金属贴片的相对侧连接一个第一矩形金属贴片，即第一介质基板的上下、左右每侧分布两个第一矩形金属贴片，同一侧的两个第一矩形金属贴片之间留有空隙，在空隙处加载PIN二极管，每个第一矩形金属贴片的内侧连接一个第二矩形金属贴片，第二矩形金属贴片小于第一矩形金属贴片的尺寸，上下侧的第一矩形金属贴片和第二矩形金属贴片均为水平方向，左右侧的第一矩形金属贴片和第二矩形金属贴片均为垂直方向；位于中间层的第二介质基板上的金属单元为中心对称结构，包括两个第三矩形金属贴片，呈十字形排列且宽度相同；位于底层的第三介质基板上的金属单元与位于顶层的第一介质基板上的金属单元结构设计相同；水平方向的PIN二极管正极均与左侧第一矩形金属贴片相连，负极均与右侧第一矩形金属贴片相连，垂直方向的PIN二极管正极均与下方第一矩形金属贴片相连，负极均与上方第一矩形金属贴片相连；所述两个第一矩形金属贴片之间留有的空隙w小于等于PIN二极管的封装尺寸；所述第一介质基板上的金属单元为中心对称结构，所述第一矩形金属贴片的中心与和其连接的扇形金属贴片半径的中点在同一条直线上。

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