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申请/专利权人：成都核心智慧科技有限公司

摘要：本发明公开了一种基于IPD工艺的超宽带无反射陷点滤波器包括设置于衬底上并依次连接的输入端口、第一无反射陷点谐振器、带通电路、第二无反射陷点谐振器和输出端口；带通电路包括依次连接的第一串联谐振器、第一并联谐振器、第二串联谐振器、第二并联谐振器和第三串联谐振器，第一串联谐振器的输入端与第一无反射陷点谐振器的输出端连接，第三串联谐振器的输出端与第二无反射陷点谐振器的输入端连接。本发明在超宽带滤波器电路两边对称引入无反射陷点谐振器，谐振器中利用两电感的互感作用进一步加深了陷点，引入的无反射陷点深达‑38dB，在保持陷点深度的同时对回波影响较小。

主权项：1.基于IPD工艺的超宽带无反射陷点滤波器，其特征在于，包括设置于衬底上并依次连接的输入端口（1）、第一无反射陷点谐振器、带通电路、第二无反射陷点谐振器和输出端口（2）；所述带通电路包括依次连接的第一串联谐振器、第一并联谐振器、第二串联谐振器、第二并联谐振器和第三串联谐振器，所述第一串联谐振器的输入端与第一无反射陷点谐振器的输出端连接，所述第三串联谐振器的输出端与第二无反射陷点谐振器的输入端连接；所述第一无反射陷点谐振器包括第一串联电感（LS1）、第一串联电容（CS1）、第一薄膜电阻（Z1）、第二信号接地通孔（G2）、第一并联电容（CP1）、第一并联电感（LP1）和第三薄膜电阻（Z3），所述第一串联电感（LS1）的一端与输入端口（1）连接，其另一端与第一串联电容（CS1）的一端连接，所述第一薄膜电阻（Z1）的一端与第一串联电容（CS1）的另一端连接，其另一端与第二信号接地通孔（G2）连接，所述第一并联电容（CP1）、第一并联电感（LP1）和第三薄膜电阻（Z3）并联，所述第一并联电容（CP1）的一端、第一并联电感（LP1）的一端和第三薄膜电阻（Z3）的一端均与第一串联电容（CS1）的一端连接，所述第一并联电容（CP1）的另一端、第一并联电感（LP1）的另一端和第三薄膜电阻（Z3）的另一端共同作为第一无反射陷点谐振器的输出端；所述第二无反射陷点谐振器包括第二串联电感（LS2）、第二串联电容（CS2）、第二薄膜电阻（Z2）、第四信号接地通孔（G4）、第二并联电容（CP2）、第二并联电感（LP2）和第四薄膜电阻（Z4），所述第二串联电感（LS2）的一端与输出端口（2）连接，其另一端与第二串联电容（CS2）的一端连接，所述第二薄膜电阻（Z2）的一端与第二串联电容（CS2）的另一端连接，其另一端与第四信号接地通孔（G4）的一端连接，所述第二并联电容（CP2）、第二并联电感（LP2）和第四薄膜电阻（Z4）并联，所述第二并联电容（CP2）的一端、第二并联电感（LP2）的一端和第四薄膜电阻（Z4）的一端均与第二串联电容（CS2）的一端连接，所述第二并联电容（CP2）的另一端、第二并联电感（LP2）的另一端和第四薄膜电阻（Z4）的另一端共同作为第二无反射陷点谐振器的输入端。

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