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申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
摘要：描述了一种使用NMOS晶体管作为低损耗理想二极管的理想二极管电路。晶体管的控制电路以阳极电压为参考，而不是以地为参考，因此即使输入电压非常高，控制电路系统也可以是以地为参考的低电压电路系统。以阳极电压为参考，电容器被箝位在约10‑20V。该箝位电压为差分放大器供电，以检测阳极电压是否大于阴极电压。在理想二极管的正常工作期间，通过控制耦合在阴极和电容器之间的第二晶体管的导电性，电容器被充电到箝位电压，使得电路能够在宽范围的频率和电压下使用。施加到差分放大器的所有电压等于或小于该箝位电压。
主权项：1.一种理想二极管电路，包括：控制电路，所述控制电路具有阳极端子和阴极端子，所述控制电路配置为产生第一晶体管的控制信号，所述第一晶体管耦合在所述阳极端子与所述阴极端子之间，所述控制电路包括：电容器，所述电容器具有第一端子，所述第一端子耦合到所述阳极端子，所述电容器还具有第二端子；第二晶体管，所述第二晶体管具有第一端子和第二端子，所述第一端子耦合到所述阴极端子，所述第二端子耦合到所述电容器的所述第二端子，所述第二晶体管具有控制端子，所述控制端子耦合在反馈回路中以使所述电容器两端的电压等于箝位电压；以及第一差分放大器，所述第一差分放大器具有供电端子，所述供电端子耦合在所述电容器两端，以便由所述箝位电压供电，所述第一差分放大器具有差分输入端子，所述差分输入端子耦合到所述阳极端子和所述第二晶体管的所述第二端子，使得所述第二晶体管在所述阴极端子和所述差分输入端子中的一个之间，所述第一差分放大器具有输出端子，所述输出端子配置为耦合到所述第一晶体管的控制端子，以在施加到所述阳极端子的阳极电压大于施加到所述阴极端子的阴极电压时，控制所述第一晶体管打开，并且在施加到所述阳极端子的所述阳极电压小于施加到所述阴极端子的所述阴极电压时，控制所述第一晶体管关闭。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 自偏置理想二极管电路
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