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基板处理方法及基板处理系统 

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申请/专利权人:株式会社斯库林集团

摘要:基板处理方法包含:第一蚀刻工序,其一边使基板W旋转,一边将第一磷酸液L1供给至基板W而蚀刻多个叠层,前述基板W具有包含氮化硅层的多个叠层隔着间隙而相对的三维层叠结构;中断工序,其在残留有氮化硅层的状态下中断通过第一蚀刻工序所进行的多个叠层的蚀刻;及第二蚀刻工序,其使基板W浸渍于被贮存在处理槽310的第二磷酸液L2,而再次开始已被中断的多个叠层的蚀刻。

主权项:1.一种基板处理方法,包含:基板保持工序,其通过基板保持部保持基板,所述基板具有包含氮化硅层的多个叠层隔着间隙而相对的三维层叠结构;第一蚀刻工序,其一边使被所述基板保持部保持的基板旋转,一边将第一磷酸液供给至所述基板而蚀刻所述多个叠层;中断工序,其在残留有所述氮化硅层的状态下中断通过所述第一蚀刻工序所进行的所述多个叠层的蚀刻;移动工序,其将所述基板从所述基板保持部取出,并且朝处理槽移动;及第二蚀刻工序,其使所述基板浸渍于贮存在所述处理槽中的第二磷酸液,再次开始已被中断的所述多个叠层的蚀刻。

全文数据:

权利要求:

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