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基板处理方法及基板处理装置 

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申请/专利权人:株式会社斯库林集团

摘要:基板处理方法包括:第1液膜形成工序,通过向基板的表面供给含有固体形成物质的处理液而在上述基板的表面形成上述处理液的第1液膜;第1固体膜形成工序,从上述第1液膜形成含有固体状态的上述固体形成物质的第1固体膜;第1固体膜剥离去除工序,通过向上述基板的表面供给将上述第1固体膜剥离的剥离液而将上述第1固体膜从上述基板的表面剥离并去除;第2液膜形成工序,在从上述基板的表面去除了上述第1固体膜后,通过向上述基板的表面供给上述处理液而在上述基板的表面形成上述处理液的第2液膜;第2固体膜形成工序,从上述第2液膜形成含有固体状态的上述固体形成物质的第2固体膜;以及第2固体膜气化去除工序,使上述第2固体膜以不经由液体状态的方式气化,将上述第2固体膜从上述基板的表面去除。

主权项:1.一种基板处理方法,包括以下工序:第1液膜形成工序,通过向基板的表面供给含有固体形成物质的处理液而在所述基板的表面形成所述处理液的第1液膜;第1固体膜形成工序,从所述第1液膜形成含有固体状态的所述固体形成物质的第1固体膜;第1固体膜剥离去除工序,通过向所述基板的表面供给将所述第1固体膜剥离的剥离液而将所述第1固体膜从所述基板的表面剥离并去除;第2液膜形成工序,在从所述基板的表面去除了所述第1固体膜后,通过向所述基板的表面供给所述处理液而在所述基板的表面形成所述处理液的第2液膜;第2固体膜形成工序,从所述第2液膜形成含有固体状态的所述固体形成物质的第2固体膜;以及第2固体膜气化去除工序,使所述第2固体膜以不经由液体状态的方式气化,将所述第2固体膜从所述基板的表面去除。

全文数据:

权利要求:

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