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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
主权项：1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上方形成含金属的光致抗蚀剂层；其中所述含金属的光致抗蚀剂层是由第一前体和第二前体形成的，其中所述第一前体是具有下式的有机金属化合物：MaRbXc其中M为Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一者，R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸根基团，X为卤离子或磺酸根基团，并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，且b+c≤5；并且所述第二前体为胺、硼烷、膦或水中的至少一者；在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜；在形成所述脱水膜以后，使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分；以及使所述光致抗蚀剂层显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 光致抗蚀剂层脱气防止
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