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申请/专利权人:北京大学
摘要:本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅高k衬底上作为沟道,通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管,该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应,通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作,通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路,通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测,从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。
主权项:1.一种多模态光热传感器,包括衬底和位于衬底上的沟道,以及沟道两端的源极和漏极,其特征在于,所述衬底为硅高k衬底,所述沟道为Bi2O2Se纳米片;其中,所述硅高k衬底是由硅衬底及其上的高k介质层组成的复合衬底。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 北京大学 基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用
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