龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种以铸锭单晶硅片为衬底的背接触电池及其制作方法，包括：S1、提供双面抛光的铸造单晶硅片；S2、在背面采用管式多晶硅沉积炉依次沉积第一隧穿氧化层与第一掺杂非晶硅层和掩膜牺牲层，然后对正面和背面进行等离子磷处理；之后进行高温掺氧退火；S3、形成第二半导体开口区；S4、然后进行制绒清洗，控制金字塔绒面中金字塔任一方向上的尺寸均在200‑500nm；S5、沉积第二半导体层。本发明能够达到吸杂、钝化较好的效果，提高电池转换效率；同时有利于减少铸锭单晶硅片因自身缺陷而导致的破片率过高的问题，增加制程稳定性；且用铸锭单晶硅片取代原有的单晶硅片，可以大幅降低硅料成本。
主权项：1.一种以铸锭单晶硅片为衬底的背接触电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供双面抛光的铸锭单晶硅片；S2、在铸锭单晶硅片背面依次形成第一半导体层和掩膜牺牲层，所述第一半导体层包含第一隧穿氧化层与第一掺杂多晶硅层；形成第一半导体层和掩膜牺牲层的过程包括：采用管式多晶硅沉积炉依次沉积第一隧穿氧化层与第一掺杂非晶硅层和掩膜牺牲层，然后对正面和背面进行等离子磷处理，在铸锭单晶硅片正面和掩膜牺牲层外表面分别形成磷硅反应层，同时第一掺杂非晶硅层形成第一掺杂多晶硅层；之后进行高温掺氧退火；其中，等离子磷处理的条件包括：在等离子的辉光下，通入含磷烷和氢气的混合气体，混合气体流量为2000-5000sccm，磷烷与氢气的体积流量比为1：3-6，压力为200-500Pa；高温掺氧退火的条件包括：退火温度为850-950℃，通入氧气且氧气流量为5000-15000sccm；S3、在背面的第一半导体层及其对应掩膜牺牲层上进行一次刻蚀开口，形成第二半导体开口区；S4、然后进行制绒清洗，制绒清洗过程中同步去除磷硅反应层，同时在铸锭单晶硅片正面及第二半导体开口区上形成金字塔绒面，并经过最后清洗去除铸锭单晶硅片背面第二半导体开口区外的掩膜牺牲层；其中控制金字塔绒面中金字塔任一方向上的尺寸均在200-500nm；S5、在S4所得背面沉积第二半导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种以铸锭单晶硅片为衬底的背接触电池及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号