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用于储存和供应用于半导体工艺的不含F3NO的FNO气体和不含F3NO的FNO气体混合物的系统和方法 

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申请/专利权人:乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

摘要:披露了用于供应不含F3NO含FNO的气体的系统和方法以及用于使用所述不含F3NO含FNO的气体进行蚀刻的系统和方法。所述系统包括用于储存所述不含F3NO含FNO的气体的具有抛光的内表面的NiP涂覆的钢筒、用于从所述筒释放所述不含F3NO含FNO的气体的筒阀、用于将所述不含F3NO含FNO的气体输送至目标反应器的包括压力调节器和管线部件的歧管组件。在所述歧管组件中所述压力调节器将所述不含F3NO含FNO的气体减压,从而将所述歧管组件分成在所述压力调节器上游的第一压力区和在所述压力调节器下游的第二压力区。气态组合物包含含有按体积计小于大约1%的F3NO杂质的不含F3NO的FNO气体和能够抑制所述不含F3NO的FNO气体中的F3NO杂质的浓度的惰性气体。

主权项:1.一种用于储存和供应不含F3NO含FNO的气体的方法,所述方法包括以下步骤:将所述不含F3NO含FNO的气体储存在具有抛光的内表面的NiP涂覆的钢筒中;将额外的F2添加至所述不含F3NO含FNO的气体中以抑制所述不含F3NO含FNO的气体中F3NO的形成;将歧管组件用F2或FNO钝化;通过启动与所述筒和歧管组件流体连通的筒阀将所述不含F3NO含FNO的气体从所述筒释放至所述歧管组件;通过启动所述歧管组件中的压力调节器将所述不含F3NO含FNO的气体减压,以便将所述歧管组件分成在所述压力调节器上游的第一压力区和在所述压力调节器下游的第二压力区;以及将减压的不含F3NO含FNO的气体进料至在所述第二压力区下游的目标反应器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于储存和供应用于半导体工艺的不含F3NO的FNO气体和不含F3NO的FNO气体混合物的系统和方法

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