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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括穿透堆叠结构并沿与第一基底的顶表面垂直的方向延伸的沟道区、位于堆叠结构上的第一层间介电层以及位于第一层间介电层上的外围电路结构。外围电路结构包括位于第二基底的第一表面上的外围电路元件。外围电路元件电连接到沟道区和栅电极中的至少一个栅电极。第一基底具有与其顶表面平行的第一晶面。第二基底具有与其第一表面平行的第二晶面。第一晶面的原子的布置方向与第二晶面的原子的布置方向交叉。
主权项：1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：堆叠结构，包括堆叠在第一基底上的多个栅电极；多个沟道区，穿透堆叠结构并沿与第一基底的顶表面垂直的方向延伸；第一层间介电层，位于堆叠结构上；以及外围电路结构，位于第一层间介电层上，其中，外围电路结构包括位于第二基底的第一表面上的多个外围电路元件，所述多个外围电路元件电连接到所述多个沟道区和所述多个栅电极中的至少一个栅电极，其中，第一基底具有与第一基底的顶表面平行的第一晶面，其中，第二基底具有与第二基底的第一表面平行的第二晶面，并且其中，第一晶面的暴露在第一基底的顶表面上的原子的布置方向与第二晶面的暴露在第二基底的第一表面上的原子的布置方向交叉。
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