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申请/专利权人：福建省金龙稀土股份有限公司

摘要：本发明公开了一种双壳层钕铁硼磁体及其制备方法。该双壳层钕铁硼磁体包含主相晶粒及其双壳层和邻接所述主相晶粒的富Nd相；所述主相晶粒包含R2Fe14B；所述双壳层的内层包含NdHo2Fe14B和或NdGd2Fe14B；所述双壳层的外层包含NdDy2Fe14B和或NdTb2Fe14B；所述双壳层的厚度为0.1～6μm；所述富Nd相中包含R‑RH6T13X相。本发明可得到一种双壳层钕铁硼磁体，在主相周围形成了较薄的壳层，有效减少了重稀土元素往主相中的扩散量。

主权项：1.一种双壳层钕铁硼磁体，其特征在于，其包含主相晶粒及其双壳层和邻接所述主相晶粒的富Nd相；所述主相晶粒包含R2Fe14B；所述R为La、Ce、Pr和Nd中的一种或多种；所述双壳层的内层包含（NdHo）2Fe14B和或（NdGd）2Fe14B；所述双壳层的外层包含（NdDy）2Fe14B和或（NdTb）2Fe14B；所述双壳层的厚度为0.1~6μm；所述富Nd相中包含（R-RH）6T13X相，RH为Ho、Gd、Dy和Tb中的一种或多种，T为Fe和或Co，X为Ga、Cu和Al中的一种或多种；所述双壳层钕铁硼磁体的制备方法的步骤包括：S1.分别制备得到主合金片、第一辅合金片和第二辅合金片；其中，所述第一辅合金片的原料包含：LH1、RH1、X1和Fe；所述LH1为La、Ce、Pr和Nd中的一种或多种，所述RH1为Ho和或Gd，所述X1为Cu、Co、Ga和Al中的一种或多种；所述第一辅合金片中，所述LH1占所述第一辅合金片的质量百分比为0~80%，所述RH1占所述第一辅合金片的质量百分比为5~80%，所述LH1和RH1的总量占所述第一辅合金片的质量百分比为30%以上，所述X1占所述第一辅合金片的质量百分比为1~15%；所述第一辅合金片中各元素的质量百分比之和为100%；S1中，所述第一辅合金片的原料还包含B，所述第一辅合金片中，B占所述第一辅合金片的质量百分比为0~0.3%，且不为0；所述第二辅合金片的原料包含：RH2、X2和Fe；所述RH2为Dy和或Tb，所述X2为Zr和或Ti；所述第二辅合金片中，所述RH2占所述第二辅合金片的质量百分比为0~80%，且不为0，所述X2占所述第二辅合金片的质量百分比为3~10%；所述第二辅合金片中各元素的质量百分比之和为100%；S2.将所述主合金片、所述第一辅合金片和所述第二辅合金片经氢破碎或微粉碎的混合物进行成型和烧结处理，即得所述双壳层钕铁硼磁体。

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