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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本发明公开了一种外界条件对低噪声放大器电路HPM损伤进程影响的确定方法，包括：获取低噪声放大器电路；构建低噪声放大器电路中预设器件的第一等效模型和低噪声放大器电路的第二等效模型；接收HPM第一二等效信号，基于第一二等效信号和第二等效模型，确定低噪声放大器电路的第一二损伤时间；改变第二等效模型中预设器件的端口外接电阻，并根据第一等效信号和第二等效模型，确定低噪声放大器电路的第三损伤时间；根据第一损伤时间、第二损伤时间和第三损伤时间，分析外界条件对低噪声放大器电路的HPM损伤进程的影响。本发明在电路级层面对HPM损伤效应进行分析，为低噪声放大器电路抗HPM加固性设计提供了可靠方法。

主权项：1.一种外界条件对低噪声放大器电路HPM损伤进程影响的确定方法，其特征在于，包括：获取低噪声放大器电路；构建所述低噪声放大器电路中预设器件的第一等效模型，并根据所述第一等效模型构建所述低噪声放大器电路的第二等效模型；接收高功率微波HPM第一等效信号，基于所述第一等效信号和所述第二等效模型，确定所述低噪声放大器电路的第一损伤时间；接收HPM第二等效信号，基于所述第二等效信号和所述第二等效模型，确定所述低噪声放大器电路的第二损伤时间；其中，第二等效信号的频率或幅值与所述第一等效信号的频率或幅值不同；改变所述第二等效模型中所述预设器件的端口外接电阻，并根据所述第一等效信号和所述第二等效模型，确定所述低噪声放大器电路的第三损伤时间；根据所述第一损伤时间、所述第二损伤时间和所述第三损伤时间，分析外界条件对所述低噪声放大器电路的HPM损伤进程的影响；其中，所述构建所述低噪声放大器电路中预设器件的第一等效模型的步骤，包括：利用SentaurusSDE确定所述预设器件的尺寸参数，并在构建矩形区域后，对所述矩形区域进行参数设置，生成所述低噪声放大器电路中预设器件的初始结构；确定所述矩形区域的掺杂类型；根据各矩形区域预设的网格尺寸，对所述矩形区域进行网格划分，得到所述低噪声放大器电路中预设器件的第一等效模型；所述根据所述第一等效模型构建所述低噪声放大器电路的第二等效模型，包括：利用SentaurusDevice定义所述预设器件，并设置所述预设器件的栅、源、漏电极及其相应的边界条件，所述预设器件的衬底设置为热接触；在SentaurusDevice中指定所述预设器件与电路元器件之间的连接关系，建立所述低噪声放大器电路的第二等效模型。

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