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申请/专利权人：厦门大学
摘要：一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1对衬底进行清洗；2在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3对步骤2的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。
主权项：1.一种GeSn纳米晶材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）对衬底进行清洗；2）在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3）对步骤2）的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶；步骤2）中，所述的非晶GeSn薄膜包括低Sn组分和高Sn组分的GeSn叠层薄膜，或者Ge和GeSn叠层薄膜；步骤3）中，退火的温度为385~450℃，退火的时间为0.5~40h；所述高Sn组分为Sn组分的摩尔含量为7.5%～41.6%。
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百度查询： 厦门大学 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用
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