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申请/专利权人：杭州电子科技大学;杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法，包括介质基板，上下蚀刻金属层以及四个端口。上层金属层由四根弯折馈线，波导上表面以及金属过孔阵列组成。下层金属层作为接地面并设有金属过孔阵列。波导上表面使用金属过孔和蚀刻技术形成类分支半模波导耦合结构，实现了弱耦合的性能。在波导中央矩形区域两端蚀刻出两条短路短截线来改善耦合器的方向性特性。本发明采用一种新颖的类分支基片集成波导耦合结构实现了弱耦合耦合器，在同类型发明中具有优秀的宽带，平坦度和方向性特性。
主权项：1.一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器，其特征在于：至少包括介质基板2、上层金属层1以及下层金属层3；所述上层金属层1和下层金属层3上形成半模基片集成波导传输线，在所述上层金属层1蚀刻有四条馈线4并分别与所述半模基片集成波导传输线相连接作为耦合器的输入端、直通端、隔离端和耦合端；所述半模基片集成波导传输线上表面通过贯穿介质基板和上下金属层的金属过孔阵列实现类分支线耦合器的结构以实现弱耦合特性；所述半模基片集成波导传输线上表面中心区域放置两段对称的短截线11以改善耦合器的方向性特性；其中，所述波导上表面中心位置挖出一个没有金属层的矩形区域10，在矩形区域长边外侧分别配置矩形区域上侧金属过孔排71和矩形区域下侧金属过孔排72；所述矩形区域10的宽边两侧中心蚀刻出一对短截线11，所述一对短截线11设置在所述矩形区域10内且相向设置，构成了一对直通支路8和一对耦合支路9。
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