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申请/专利权人：江苏华创微系统有限公司
摘要：本发明公开了一种倒装芯片与底层芯片的堆叠结构的制备方法，包括以下步骤：S1、采用框架材料制备基板层；S2、在基板层的基岛的正面基岛上装底层芯片；S3、底层芯片与基板层焊线进行电气连接；S4、安装金属片；S5、倒装芯片装在相邻两个金属片上；S6、塑封料包覆所述倒装芯片与底层芯片的堆叠结构。优点，本发明方法，满足倒装芯片尺寸与底层芯片尺寸相差不大，甚至倒装芯片尺寸比底层芯片尺寸更小的情况，且结构为倒装芯片在上，底层芯片在下的堆叠结构；满足此类产品封装需求，且能提高封装利用率降低封装成本。
主权项：1.一种倒装芯片与底层芯片的堆叠结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、采用框架材料制备基板层；S2、在基板层的基岛（1）的正面基岛上装底层芯片（3）；S3、底层芯片（3）与基板层焊线（4）进行电气连接；S4、安装金属片（7），金属片（7）避让焊线（4）;S5、倒装芯片（5）装在多个金属片（7）上；S6、塑封料（6）包覆所述倒装芯片与底层芯片的堆叠结构；其中，金属片（7）的两端之间存在高度差，金属片（7）的低端设置在功能管脚（2）上，金属片（7）的高端悬于底层芯片（3）的正上方，每相邻两个金属片（7）的高端之间留有间隔。
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