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申请/专利权人：武汉芯必达微电子有限公司

摘要：本发明公开一种基于BCD工艺的相对于电源的低功耗线性稳压源，包括相对设置的第零高压三极管和第一高压三极管，所述第零高压三极管和第一高压三极管的基极相连于第一节点，发射极相连于第二节点，集电极均连接至偏置支路；所述第一高压三极管的发射极经由第零电阻连接至第二节点，所述第二节点经由第一电阻连接至输入电源和第二电阻，所述第二电阻经由第三电阻连接至电压输出端，所述第二电阻和第三电阻的连接点连接至第一节点；所述第三电阻与偏置支路的连接点为电压输出端。本发明可以满足不同的高压电源电压输入，且输出电压具有低功耗、零温漂的特性。

主权项：1.一种基于BCD工艺的相对于电源的低功耗线性稳压源，其特征在于，包括相对设置的第零高压三极管和第一高压三极管，所述第零高压三极管和第一高压三极管的基极相连于第一节点，发射极相连于第二节点，集电极均连接至偏置支路；所述第一高压三极管的发射极经由第零电阻连接至第二节点，所述第二节点经由第一电阻连接至输入电源和第二电阻，所述第二电阻经由第三电阻连接至电压输出端，所述第二电阻和第三电阻的连接点连接至第一节点；所述第三电阻与偏置支路的连接点为电压输出端；所述偏置支路包括第一至第三高压PMOS管及第一至第二高压NMOS管，其中，第一高压PMOS管、第一高压NMOS管连接于第零高压三极管所在支路，第二高压PMOS管、第二高压NMOS管连接于第一高压三极管所在支路，第三高压PMOS管连接于第二电阻与第三电阻所在支路；第一高压PMOS管的源极连接第零高压三极管的集电极，栅极与第一高压PMOS管的漏极、第二高压PMOS管的栅极、第三高压PMOS管的栅极相连，漏极与第一高压PMOS管的栅极、第一高压NMOS管的漏极相连；第二高压PMOS管的源极连接第一高压三极管的集电极，栅极与第一高压PMOS管的栅极相连，漏极与第二高压NMOS管的漏极相连；第三高压PMOS管的漏极通过电阻R4接地，栅极连接第一高压PMOS管的漏极和栅极，源极连接电压输出端；第一高压NMOS管的漏极连接第一高压PMOS管的漏极，栅极连接第二高压NMOS管的栅极和漏极，源极连接第一低压NMOS管的漏极；第二高压NMOS管的漏极连接第二高压NMOS管的栅极、第一高压NMOS管的栅极和第二高压PMOS管的漏极，源极连接第二低压NMOS管的漏极；所述第零高压三极管、第一高压三极管的发射极电压的负温度系数分别与两个高压三极管的发射极电压差的正温度系数相互抵消；所述偏置支路还包括第一至第二低压NMOS管，其中，第一低压NMOS管连接于第零高压三极管所在支路，第二低压NMOS管连接于第一高压三极管所在支路；第一低压NMOS管的漏极连接第一高压NMOS管的源极，栅极连接第二低压NMOS管的栅极和漏极，源极接地；第二低压NMOS管的漏极连接第二高压NMOS管的源极、第二低压NMOS管的栅极和第一低压NMOS管栅极，源极接地。

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