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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种包括贯穿布线区域的半导体器件，所述半导体器件包括设置在第一衬底上并且包括电路器件的外围电路区域。存储单元区域设置在第二衬底上并且包括存储单元。贯穿布线区域包括贯穿接触插塞和绝缘区域。所述贯穿接触插塞延伸穿过所述存储单元区域和所述第二衬底，并且将所述存储单元区域连接到所述电路器件。所述绝缘区域围绕所述贯穿接触插塞。所述绝缘区域包括穿透所述第二衬底的第一绝缘层、多个第二绝缘层以及具有竖直延伸部分和多个水平延伸部分的第三绝缘层，所述多个水平延伸部分平行于所述第二衬底的顶表面从所述竖直延伸部分的侧表面延伸以接触所述第二绝缘层。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：外围电路区域，所述外围电路区域设置在第一衬底上并且包括一个或更多个电路器件；存储单元区域，所述存储单元区域设置在第二衬底上并且包括多个存储单元；以及贯穿布线区域，所述贯穿布线区域包括贯穿接触插塞和至少部分地围绕所述贯穿接触插塞的绝缘区域，所述贯穿接触插塞沿与所述第二衬底的顶表面垂直的第一方向延伸穿过所述存储单元区域和所述第二衬底，并将所述存储单元区域电连接到所述电路器件，其中，所述绝缘区域包括：穿透所述第二衬底并与所述第二衬底并排设置的第一绝缘层，沿所述第一方向延伸的多个第二绝缘层，具有竖直延伸部分和多个水平延伸部分的第三绝缘层，以及至少部分地填充所述第一绝缘层、所述多个第二绝缘层和所述第三绝缘层之间的空间的第四绝缘层，其中，所述竖直延伸部分设置在所述多个第二绝缘层之间并沿所述第一方向延伸，所述多个水平延伸部分沿与所述第二衬底的所述顶表面平行的第二方向从所述竖直延伸部分的侧表面延伸以接触所述多个第二绝缘层中的部分第二绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括贯穿布线区域的半导体器件
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