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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种磁性隧道结堆叠及其制造方法。磁性隧道结堆叠包括：被钉扎层；主氧化物势垒层，位于所述被钉扎层上；自由层，位于所述主氧化物势垒层上；以及混合氧化物金属盖层，位于所述自由层上。所述混合氧化物金属盖层包括：第一氧化物层，位于所述自由层上；第二氧化物层，位于所述第一氧化物层上；以及金属盖层，位于所述第二氧化物层上，其中所述自由层不含硼B。
主权项：1.一种磁性隧道结堆叠，包括：被钉扎层；主氧化物势垒层，位于所述被钉扎层上；自由层，位于所述主氧化物势垒层上；以及混合氧化物金属盖层，位于所述自由层上，其中所述混合氧化物金属盖层包括：第一氧化物层，位于所述自由层上；第二氧化物层，位于所述第一氧化物层上；以及金属盖层，位于所述第二氧化物层上，其中所述自由层不含硼，其中所述第一氧化物层具有到的厚度，且所述第一氧化物层及所述第二氧化物层的总厚度为到其中所述第一氧化物层包含选自AlOx、ZnOx、TiOx、VOx、GaOx、YOx、ZrOx、NbOx、HfOx、TaOx、SiOx、MgGaOx、Hf-Zr-Ox、Hf-Si-Ox、Zr-Si-Ox、Hf-Al-Ox、Zr-Al-Ox及In-Ga-Zn-O中的一种或多种氧化物，且其中所述第二氧化物层包含选自MgO、MgAlO、MgTiO及AlOx中的一种或多种氧化物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 磁性隧道结堆叠及其制造方法
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