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申请/专利权人：安徽大学

摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种14T‑TFET‑SRAM单元电路、模块及阵列。本发明的单元电路包括6个PTFET晶体管P1~P6、8个NTFET晶体管N1~N8。本发明充分利用了低电压下TFET晶体管具有更好开关特性和更低的亚阈值摆幅的优势，添加了P1、P2作为写辅助管，大大提高了单元电路的写能力；通过电路设计，使得传输管N1、N2、N3、N4的漏极电压始终不低于源极电压，不仅提高了单元电路的写能力，而且消除了TFET器件的正向偏置电流，降低了单元电路的静态功耗，增大单元电路的噪声容限。本发明解决了现有TFET‑SRAM单元写噪声容限较低、静态功耗大的问题。

主权项：1.一种基于14T-TFET-SRAM单元电路构建的阵列，其特征在于，包括2i*2j个、呈阵列分布的14T-TFET-SRAM单元电路；i、j≥1；其中，同一行的14T-TFET-SRAM单元电路共用同一个N1、同一个N2；同一行的14T-TFET-SRAM单元电路共用同一根WL、同一根RWL；同一列的14T-TFET-SRAM单元电路共用同一根BL、同一根BLB、同一根RBL；所述14T-TFET-SRAM单元电路包括：PTFET晶体管P1，其源极电连接电源VDD，栅极电连接写字线BL；PTFET晶体管P2，其源极电连接电源VDD，栅极电连接写位线BLB；PTFET晶体管P3，其源极电连接电源VDD，栅极电连接写字线WL；PTFET晶体管P4，其源极电连接电源VDD，栅极电连接写字线WL；PTFET晶体管P5，其源极电连接P1、P3的漏极；PTFET晶体管P6，其源极电连接P2、P4的漏极；NTFET晶体管N1，其源极电连接地线GND，栅极电连接写字线WL；NTFET晶体管N2，其源极电连接地线GND，栅极电连接写字线WL；NTFET晶体管N3，其源极电连接N1的漏极，栅极电连接写字线BL，漏极电连接P5的漏极；NTFET晶体管N4，其源极电连接N2的漏极，栅极电连接写位线BLB，漏极电连接P6的漏极；NTFET晶体管N5，其源极电连接地线GND，漏极电连接P5的漏极、并设置有存储节点Q，栅极电连接P5的栅极、P6的漏极；NTFET晶体管N6，其源极电连接地线GND，漏极电连接P6的漏极、并设置有存储节点QB，栅极电连接P6的栅极、P5的漏极；NTFET晶体管N7，其源极电连接地线GND，栅极电连接N6的漏极；以及NTFET晶体管N8，其源极电连接N7的漏极，栅极电连接读字线RWL，漏极连接读位线RBL；在保持状态下，N1的漏极电压始终不低于N1的源极电压，N2的漏极电压始终不低于N2的源极电压，N3的漏极电压始终不低于N3的源极电压，N4的漏极电压始终不低于N4的源极电压。

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