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申请/专利权人：上海邦芯半导体科技有限公司
摘要：本申请提供一种鳍式场效应晶体管的鳍片表面处理方法，包括：采用干法蚀刻形成具有鳍片的硅基底结构，相邻的鳍片通过沟槽隔离，鳍片上设置有保护层及硬掩膜层，保护层位于硬掩膜层与鳍片之间；将硅基底结构置于第一腔室中，对鳍片进行第一次湿蚀刻处理以形成第一基底；将第一基底置于第二腔室中，对鳍片进行表面处理，以将鳍片外表面修复成有秩序排列的原子晶格或将应力释放形成第二基底；将第二基底置于第三腔室中，对鳍片进行第二次湿蚀刻处理以形成第三基底；将第三基底置于第四腔室中，依次对第三基底进行表面清洁处理及硅生长处理以在鳍片的外表面形成硅基保护层；在沟槽中形成栅电极；避免在后续的制备过程中，鳍片的厚度出现减少的风险。
主权项：1.一种鳍式场效应晶体管的鳍片表面处理方法，其特征在于，包括：采用干法蚀刻形成硅基底结构，所述硅基底结构包括硅衬底、保护层以及硬掩膜层，所述硅衬底的表面具有多个向上凸起的鳍片，每两相邻的所述鳍片之间通过沟槽隔离，每一所述鳍片上设置有所述保护层以及所述硬掩膜层，所述保护层设置于所述硬掩膜层与所述鳍片之间；将所述硅基底结构置于第一腔室中，对所述鳍片进行第一次湿蚀刻处理，以形成第一基底；将所述第一基底置于第二腔室中，对所述鳍片进行表面处理，以将所述鳍片的外表面无秩序排列的原子晶格修复成有秩序排列的原子晶格或将所述鳍片的外表面产生的表面应力释放，以形成第二基底，所述表面处理的反应气体为H2；将所述第二基底置于第三腔室中，对所述鳍片进行第二次湿蚀刻处理，以形成第三基底；将第三基底置于第四腔室中，依次对所述第三基底进行表面清洁处理以及硅生长处理，以在所述鳍片的外表面形成硅基保护层；在所述沟槽中填充导电材料形成栅电极。
全文数据：
权利要求：
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