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申请/专利权人：安徽芯塔电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种MOSFET晶体管，MOSFET晶体管包括：衬底；缓冲层；漂移区；掺杂基区；帽层；多个沟槽；多个沟槽自帽层一侧向衬底一侧延伸，并延伸至漂移区内；多个重掺杂区，重掺杂区位于漂移区内且位于沟槽的底部，第一金属层，第一金属层覆盖部分台面、沟槽的部分底部以及和部分底部相连的侧壁；栅介质层以及栅极；第一电极和第二电极；MOSFET晶体管中具有第一原胞区和第二原胞区。由此，通过设置沟槽、第一原胞区和第二原胞区，实现了重掺杂区对沟槽栅的电场屏蔽，实现了掺杂基区与第二电极的电连接，同时也反并联了肖特基二极管，在不影响原胞尺寸的基础上，可以降低MOSFET晶体管的制备难度，可以降低MOSFET晶体管的生产成本，还可以降低MOSFET晶体管导通电阻。
主权项：1.一种MOSFET晶体管，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底的一侧；漂移区，所述漂移区位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；掺杂基区，所述掺杂基区位于所述漂移区远离所述缓冲层的一侧；帽层，所述帽层位于所述掺杂基区远离所述漂移区的一侧；多个沟槽，所述多个沟槽自所述帽层一侧向所述衬底一侧延伸，并延伸至所述漂移区内；多个重掺杂区，所述重掺杂区至少位于所述漂移区内且位于所述沟槽的底部，第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽的部分台面、部分底部以及和所述部分底部相连的侧壁；栅介质层以及栅极，所述栅介质层以及栅极位于所述沟槽内且所述栅极和所述第一金属层之间间隔有隔离介质，所述栅介质层的一部分设置在所述栅极与所述掺杂基区之间；第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述衬底远离所述缓冲层的一侧，所述第二电极填充于所述沟槽内并与所述第一金属层接触，所述MOSFET晶体管中具有第一原胞区和第二原胞区，位于所述第二原胞区中的所述重掺杂区中的一部分进一步延伸至具有所述第一金属层一侧的沟槽侧壁处。
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权利要求：
百度查询： 安徽芯塔电子科技有限公司 MOSFET晶体管
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