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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明涉及热流调制器件技术领域，尤其涉及一种基于p‑n结的近场辐射热流调制器，包括：依次设置的第一金属层、p型半导体层、n型半导体层和第二金属层；其中，p型半导体层和n型半导体层之间存在微纳米量级的真空间隙，用于实现辐射换热；第一金属层连接直流电源的正极，第二金属层连接直流电源的负极，构成电极对，用于对p型半导体层和n型半导体层施加统一的电场。本发明提供的近场辐射热流调制器能够建立连续的热流‑电压关系，调节范围大，易于实现。
主权项：1.一种基于p-n结的近场辐射热流调制器，其特征在于，包括：依次设置的第一金属层2、p型半导体层4、n型半导体层7和第二金属层9；其中，所述p型半导体层4和所述n型半导体层7之间存在微纳米量级的真空间隙6，用于实现辐射换热；所述第一金属层2连接直流电源的正极，所述第二金属层9连接直流电源的负极，构成电极对，用于对所述p型半导体层4和所述n型半导体层7施加统一的电场；所述真空间隙6的厚度范围为10～500nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种基于p-n结的近场辐射热流调制器
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