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申请/专利权人：四川大学
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其含有中间层、分压层和隔离区，所述中间层起到截止电场的作用，所述分压层能在截止态下遭受高能粒子辐照时起到承受电压的作用，所述隔离区能使所述分压层的承受电压的作用更佳，避免所述半导体器件的动态雪崩击穿。所述半导体器件具有抗辐照特性和高可靠性。
主权项：1.一种半导体器件，其元胞结构包括：至少一个顶部区、一个耐压层、至少一个中间层、一个底部区和至少一个隔离区，其特征在于，所述顶部区的底部平面与所述耐压层的顶部平面直接接触，所述耐压层的底部平面与所述中间层的顶部平面以及所述隔离区的顶部平面均直接接触；所述中间层与所述隔离区在水平方向上交替排列；所述中间层以及所述隔离区的底部平面与所述底部区的顶部平面之间含有一个分压层；所述分压层与所述中间层直接接触或通过至少一个连接区间接接触；当所述分压层与所述中间层通过所述连接区间接接触时，所述隔离区将所述连接区分隔为多个区域；所述底部区的底部平面至少有一部分与第一导体直接接触，所述顶部区的顶部平面至少有一部分与第二导体直接接触；所述顶部区由第一导电类型的半导体材料和或第二导电类型的半导体材料构成；所述耐压层由第一导电类型的漂移区构成或由超结区构成，所述超结区由水平方向上交替排列的第一导电类型的柱状区和第二导电类型的柱状区构成；所述中间层、所述分压层以及所述连接区的掺杂类型均为第一导电类型；所述分压层的掺杂浓度与所述漂移区的掺杂浓度相同或比较接近；所述连接区的掺杂浓度位于所述分压层与所述中间层两者的掺杂浓度之间；所述连接区的平均掺杂浓度高于所述分压层的平均掺杂浓度；当所述耐压层由第一导电类型的漂移区构成时，所述中间层的平均掺杂浓度高于所述第一导电类型的漂移区的平均掺杂浓度；当所述耐压层由超结区构成时，所述中间层的平均掺杂浓度高于所述第一导电类型的柱状区的平均掺杂浓度；所述隔离区的掺杂类型为第一导电类型或第二导电类型；当所述隔离区的掺杂类型为第一导电类型时，所述隔离区的平均掺杂浓度低于所述中间层的平均掺杂浓度；所述底部区由第一导电类型的半导体材料和或第二导电类型的半导体材料构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川大学 一种具有隔离式分压层的抗辐照功率半导体器件
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