买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：刘台徽;刘仲熙

摘要：本发明关于一种串叠连接的电力电子器件的封装方法及其封装结构，以异质多晶的晶圆级封装方法取代传统的固晶打线制程的封装方式，可降低连接导线的电感电阻及热阻缩小封装体的尺寸，提升电力密度切换频率。本发明的晶圆级封装采用一颗以上的氮化镓半导体晶粒、一颗以上的二极管及一颗以上的金属氧化物半导体晶体管；封装结构的外型可延用TO‑220、四边无引线扁平封装或其他型状尺寸；低功率应用可采用传统环氧模塑材料的封胶制程；高功率的应用则可采用陶瓷材料的封胶制程。藉此可降低连接导线的电感、电阻及热阻缩小封装体的尺寸，提升电力密度及切换频率。

主权项：1.一种串叠连接的电力电子器件封装方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：取一基板，于其上设置一感压胶层；于该感压胶层上设置一个以上的氮化镓半导体晶粒、一个以上的金属氧化物半导体晶体管及一个以上的二极管；于该感压胶层上涂覆第一光显影层，该第一光显影层覆盖该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管及该二极管；对该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管及该二极管上的第一光显影层的第一面进行曝光显影，并对曝光显影区进行镀铜，形成镀铜层；于第一光显影层设置一第一塑料层，该第一塑料层覆盖第一光显影层上的未曝光显影区及镀铜层，再于该第一塑料层上设置一散热板；剥离该基板及该感压胶层；于第一光显影层的第二面上涂覆第二光显影层，该第二光显影层覆盖该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管及该二极管；对第二光显影层进行第二次曝光显影，以显露出该氮化镓半导体晶粒的闸极与汲极、该金属氧化物半导体晶体管的闸极与源极及该二极管；将该氮化镓半导体晶粒的闸极与汲极、该金属氧化物半导体晶体管的闸极与源极及该二极管形成一重分布层；将该重分布层镀上保护层；将胶带黏贴于陶瓷散热板上，切割该氮化镓半导体晶粒、该金属氧化物半导体晶体管、该二极管、该第一塑料层及该陶瓷散热板，以形成数个封装模块，并使得该些封装模块仅通过该胶带而彼此连接，拉伸该胶带，使得该些封装模块之间的间隙增加，并移除胶带得到数个封装模块，将该些封装模块串叠连接而形成该电力电子器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 刘台徽 刘仲熙 串叠连接的电力电子器件的封装方法及其封装结构