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申请/专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;上海交通大学
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板，依次设置在基板上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层和源漏极金属层，源漏极金属层包括间隔设置的源极和漏极，氧化物半导体层包括第一氧化物层和层叠设置在第一氧化物层上方的第二氧化物层，第一氧化物层的含氧量低于第二氧化物层；部分第一氧化物层从第二氧化物层的两侧露出，源极和漏极相互间隔并分别与从第二氧化物层的两侧露出的第一氧化物层直接接触连接，使得源极、漏极与氧化物半导体层形成了较好的欧姆接触，有效地提高了薄膜晶体管的开态电流，优化了薄膜晶体管的综合性能。本发明还涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法。
主权项：1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板110，依次设置在所述基板110上的栅极120、栅极绝缘层130、氧化物半导体层140和源漏极金属层150，所述源漏极金属层150包括间隔设置的源极151和漏极152，其特征在于，所述氧化物半导体层140包括第一氧化物层141和层叠设置在所述第一氧化物层141上方的第二氧化物层142，所述第一氧化物层141和所述第二氧化物层142的材料均为金属氧化物，所述第一氧化物层141的含氧量低于所述第二氧化物层142；部分所述第一氧化物层141从所述第二氧化物层142的两侧露出，所述源极151和所述漏极152相互间隔并分别与从所述第二氧化物层142的两侧露出的所述第一氧化物层141直接接触连接形成欧姆接触。
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百度查询： 昆山龙腾光电股份有限公司 上海交通大学 氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法
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