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申请/专利权人：中科南京智能技术研究院

摘要：本公开提供了一种存内计算电路及控制方法、计算芯片和存储器，其中存内计算电路包括存储阵列，包括多个阵列排布的存储单元；每列存储单元包括多个计算存储单元和至少一个参考存储单元，所述计算存储单元用于存储计算权重，所述参考存储单元用于存储参考权重；多条第一字线和第二字线；对于每列存储单元，一条所述第一字线连接一个所述计算存储单元，一条所述第二字线连接一个所述参考存储单元；多条第一位线和第二位线；对于每列存储单元，所述计算存储单元和所述参考存储单元的一端连接至一条所述第一位线，另一端连接一条所述第二位线；该存内计算电路能够解决因为PVT干扰所引起的计算精度降低问题。

主权项：1.一种存内计算电路，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个阵列排布的存储单元；每列存储单元包括多个计算存储单元和至少一个参考存储单元，所述计算存储单元用于存储计算权重，所述参考存储单元用于存储参考权重；多条第一字线和第二字线；对于每列存储单元，一条所述第一字线连接一个所述计算存储单元，一条所述第二字线连接一个所述参考存储单元；多条第一位线和第二位线；对于每列存储单元，所述计算存储单元和所述参考存储单元的一端连接至一条所述第一位线，另一端连接一条所述第二位线；在进行计算时，所述第一字线用于输入激励信号，以使所述计算存储单元将计算得到的模拟电压信号输出至所述第一位线；所述第二字线用于输入参考信号，以使所述参考存储单元将计算得到的参考电压信号输出至所述第二位线；所述计算存储单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第二反相器的输出端形成第一节点，所述第二反相器的输入端连接所述第一反相器的输出端形成第二节点；所述存内计算电路还包括多条第三字线；所述第一晶体管的第一极连接所述第一位线，控制极连接所述第一字线，第二极连接所述第一节点；所述第二晶体管的第一极连接所述第二位线，控制极连接所述第三字线，第二极连接所述第二节点；所述参考存储单元包括第三晶体管、第四晶体管、第三反相器和第四反相器，所述第三反相器的输入端连接所述第四反相器的输出端形成第三节点，所述第四反相器的输入端连接所述第三反相器的输出端形成第四节点；所述存内计算电路还包括多条第四字线；所述第三晶体管的第一极连接所述第一位线，控制极连接所述第四字线，第二极连接所述第三节点；所述第四晶体管的第一极连接所述第二位线，控制极连接所述第二字线，第二极连接所述第四节点；所述存内计算电路还包括多个模数转换器，每列所述存储单元对应的所述第一位线和所述第二位线分别连接一个所述模数转换器的输入端；所述模数转换器用于将所述模拟电压信号和所述参考电压信号转化为数字电压信号并输出本次计算对应的数字结果信号。

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