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冷却组件、磁控溅射阴极及真空镀膜装置 

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申请/专利权人:深圳市曼恩斯特科技股份有限公司

摘要:本实用新型涉及真空镀膜技术领域,具体涉及一种冷却组件、磁控溅射阴极及真空镀膜装置。水冷组件包括外壳,底壁的外表面向冷却腔内凹陷并形成凹槽,并在冷却腔内形成凸起;凸起的顶面与顶壁的内表面之间具有间隙,间隙左右两侧设置有分隔结构,分隔结构用于隔断间隙的左右两侧与冷却腔;凸起的前、后端设置进液口和出液口。磁场发生件安装于凹槽,能够缩短磁场发生件与靶材之间的距离,提高溅射效率。设置间隙并在间隙的左右两侧设置分隔结构,以及将进液口和出液口设置于凸起的前后两端,能够避免局部温度过高而导致铟焊料融化。相较于现有技术,冷却组件能够在不影响正常冷却功能的前提下缩短磁场发生件与靶材之间的距离,提高溅射效率。

主权项:1.一种冷却组件,其特征在于,包括外壳11,所述外壳11具有顶壁、底壁和侧壁;所述顶壁和所述底壁相对设置,所述侧壁位于所述顶壁和所述底壁之间,所述顶壁、所述底壁和所述侧壁之间形成冷却腔113;所述顶壁的外表面用于放置靶材21,所述底壁的外表面向所述冷却腔113内凹陷并形成凹槽114,同时在所述冷却腔113内形成凸起115,所述凹槽114用于放置磁场发生件22;所述凸起115的顶面与所述顶壁的内表面之间具有间隙116,所述间隙116左右两侧设置有分隔结构117,所述分隔结构117用于隔断所述间隙116的左右两侧与所述冷却腔113;所述凸起115前端与所述侧壁的内表面之间具有第一间隔,所述凸起115后端与所述侧壁的内表面之间具有第二间隔,所述第一间隔处设置进液口118,所述第二间隔处设置出液口119。

全文数据:

权利要求:

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