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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开一种利用栅电荷曲线Qg提取SiCMOSFET模型参数的方法。所述方法通过获取所述器件在栅电荷测试电路下的Vgs‑time曲线、Vds‑time曲线、Ids‑time曲线，从中提取高漏压下的直流信息、电荷信息以及电容信息，然后利用所述模型进行曲线拟合，提取相应模型参数。与传统的参数提取方法相比，本发明不仅可以准确捕捉SiCMOSFET动态性能，同时能够在各种负载条件下捕捉包括“密勒斜坡”期间在内的开关行为，大大提高了器件建模的准确性与高效性。
主权项：1.一种利用栅电荷曲线Qg提取SiCMOSFET模型参数的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.获取SiCMOSFET器件在多个预设测试条件下的栅电荷测试数据，测试数据包括Vgs-time曲线、Vds-time曲线、Ids-time曲线：将SiCMOSFET器件源极接地，栅极外加大小恒定为Ig的直流电流源，漏极通过大小为Ion的直流电流源与大小为Vdd的直流电压源后接地，其中Vdd的大小设置n个值，n3；所有设置的Vdd均在SiCMOSFET的工作电压内；设置好后进行时间瞬态扫描，提取相应的漏极电流Ids、漏源电压Vds、栅源电压Vgs与时间的曲线，即Vgs-time、Vds-time、Ids-time；步骤2.提取SiCMOSFET的I-V模型参数；步骤3.从测试的n条Qg曲线中，提取Vds＝0V和Vds＝Vdd时的Cgg-Vgs曲线；步骤4.提取SiCMOSFET的C-V模型参数，将Cgd模型和Cgs模型转化成Qg的模型，通过拟合该Qg模型与测试的Qg波形从而提取Cgd和Cgs的参数，在此过程中使用的Cgs和Cgd模型都是进行过平滑处理的分段函数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 利用栅电荷曲线Qg提取SiC MOSFET模型参数的方法
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