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申请/专利权人：晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司

摘要：本发明涉及一种TBC背接触电池的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括通过对完成碱抛光处理后的N型硅片背面进行LPCVD处理、硼扩散处理、第一次激光改性处理和第一次清洗，使得N型硅片背面的第二区域形成第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层和BSG层；通过对N型硅片背面进行PECVD处理、退火处理、第二次激光改性处理和第二次清洗，使得N型电池硅片背面的第一区域形成第二隧穿氧化层、第二掺杂多晶硅层和PSG层。本发明仅通过两次激光改性处理和两次清洗处理就可形成交叉分布的P型区域、N型区域和隔离区域，制备工艺更加简单，降低了TBC电池的制备成本；并且不需要的区域清洗的更彻底，提高了光电转换率和合格率。

主权项：1.一种TBC背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，对N型硅片1的正面和背面进行碱抛光处理，将完成碱抛光处理的N型硅片1的背面划分为多个第一区域、多个第二区域和多个隔离区域，并使得多个第一区域和多个第二区域之间交叉平行分布，且相邻的第一区域和第二区域之间通过隔离区域分开；S2，对完成碱抛光处理的N型硅片1的背面进行LPCVD处理和硼扩散处理，使得N型硅片1的背面依次形成第一隧穿氧化层2、第一掺杂多晶硅层3和BSG层4，并使得N型硅片1的侧面和正面的边缘均形成第一掺杂多晶硅层3；S3，对S2处理后的N型硅片1背面的多个第一区域和多个隔离区域的BSG层4进行第一次激光改性处理和第一次清洗，以去除位于N型硅片1背面上第一区域和隔离区域的BSG层4、第一掺杂多晶硅层3和第一隧穿氧化层2，同时去除N型硅片1的侧面和正面的边缘的第一掺杂多晶硅层3；S4，对完成第一次清洗的N型硅片1背面进行PE-Poly处理和退火处理，使得N型硅片1背面的第一区域和隔离区域上均依次形成第二隧穿氧化层5、第二掺杂多晶硅层7和PSG层8，并使得位于多个第二区域的BSG层4背面依次形成第二掺杂多晶硅层7和PSG层8，同时还使得N型硅片1侧面和正面边缘均形成第二掺杂多晶硅层7；S5，对完成退火处理的N型硅片1背面的多个第二区域和多个隔离区域的PSG层8进行第二次激光改性处理和第二次清洗，以去除位于第二区域的PSG层8、第二掺杂多晶硅层7以及隔离区域的PSG层8、第二掺杂多晶硅层7、第二隧穿氧化层5，同时去除N型硅片1侧面和正面边缘的第二掺杂多晶硅层7；S6，对完成第二次清洗的N型硅片1正面和背面的隔离区域进行制绒处理，对完成制绒处理的N型硅片1背面的第一区域和第二区域进行丝网印刷处理和烧结处理，以在所述N型硅片1的背面形成金属电极12。

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