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申请/专利权人：德州仪器公司
摘要：一种集成电路IC制造流程包含多层级金属化方案，其中根据一或多个设计约束形成划线道结构893的一或多个金属层部件880‑1到880‑7。所述划线道结构893的所述金属层部件880‑1到880‑7沿切割路径的总厚度可被限制为阈值，以优化切割操作中的切割分离产率。
主权项：1.一种集成电路IC，其包括：半导体衬底；导体层和绝缘体层，其上覆于所述半导体衬底，所述导体层中的至少一者通过所述绝缘体层中的至少一个绝缘体层位于邻近导体层之间；及划线道，其上覆于所述半导体衬底且包围裸片区域，所述划线道包含：划线道结构，其形成于所述划线道中，所述至少一个划线道结构包含：上部金属层部件；及下部金属层部件，其在所述上部金属层与所述半导体衬底之间，所述下部金属层部件包括框架部分，所述框架部分包含平行于包围所述裸片区域的划线密封件延行的第一金属区段和从所述第一金属区段延伸远离所述划线密封件的至少一个第二金属区段。
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百度查询： 德州仪器公司 半导体晶片划线道结构
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