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申请/专利权人：中芯北方集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，所述基底的顶部形成有导电层；在所述导电层中形成贯穿所述导电层的开口，所述开口露出所述基底的顶部；对所述开口露出的所述导电层侧壁表面和顶部表面进行除氯处理，使所述开口露出的所述导电层侧壁表面和顶部表面含氯元素的副产物含量减少；进行所述除氯处理之后，对所述开口露出的所述导电层侧壁表面和顶部表面进行清洗处理，用于去除所述导电层侧壁表面和顶部表面残留的副产物。降低了导电层的表面发生腐蚀的概率，从而提高了半导体结构的性能，增加了半导体结构的产品良率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底的顶部形成有导电层；在所述导电层中形成贯穿所述导电层的开口，所述开口露出所述基底的顶部；对所述开口露出的所述导电层侧壁表面和顶部表面进行除氯处理，使所述开口露出的所述导电层侧壁表面和顶部表面含氯元素的副产物含量减少；进行所述除氯处理之后，对所述开口露出的所述导电层侧壁表面和顶部表面进行清洗处理，用于去除所述导电层侧壁表面和顶部表面残留的副产物。
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