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申请/专利权人：上海朗矽科技有限公司
摘要：本公开提供了一种硅电容、电源分配网络、电子器件及电子设备，硅电容制作在硅基质上的沟槽内；硅电容包括：从下到上依次为底部电极、电介质、掺杂多晶硅和顶部金属电极；硅电容采用半导体沟槽工艺制作，电介质采用高介电常数介质材料，沟槽的深度小于预设的第一阈值。本公开的硅电容厚度小于25μm，电源分配网络以硅电容作为去耦电容；在电子器件中，用作去耦作用的硅电容能够放置在SOC芯片与封装基板之间的区域内，可以采用在SOC芯片和或封装基板上单贴、对贴等封装方式，硅电容相比传统电容更加贴近芯片，PISI性能更好，更大程度地提高输入信号的纯净度，并减少输出信号中含有的噪声对其他元件的干扰。
主权项：1.一种硅电容，其特征在于，所述硅电容制作在硅基质上的沟槽内；所述硅电容包括：从下到上依次为底部电极、电介质、掺杂多晶硅和顶部金属电极；所述硅电容采用半导体沟槽工艺制作，所述电介质采用高介电常数介质材料，所述沟槽的深度小于预设的第一阈值。
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权利要求：
百度查询： 上海朗矽科技有限公司 硅电容、电源分配网络、电子器件及电子设备
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