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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，且公开了一种具有双栅极捆扎的碳化硅VDMOS结构，包括N+衬底和P区，所述N+衬底的上表面外延生长第一N‑漂移区，在所述第一N‑漂移区的上方同样外延生长一层第二N‑漂移区，所述第二N‑漂移区的中部刻蚀U槽，所述U槽的内部下方沉积有多晶硅电极，所述U槽的内部上方沉积有栅电极；本发明中，在源极的上方刻蚀长槽，能够增大源极上表面的“面积”，与外界接触面积大，利于器件向外散热，在栅电极的下方设置多晶硅电极，能够屏蔽栅极与漂移区，减小漂移区临界电场强度，降低导通电阻，利于VDMOS性能稳定，第一氧化绝缘层和第二氧化绝缘层增大了绝缘物理厚度，降低正向导通时的电场强度。
主权项：1.一种具有双栅极捆扎的碳化硅VDMOS结构，包括N+衬底18和P区11，其特征在于：所述N+衬底18的上表面外延生长第一N-漂移区17，在所述第一N-漂移区17的上方同样外延生长一层第二N-漂移区12，所述第二N-漂移区12的中部刻蚀U槽14，所述U槽14的内部下方沉积有多晶硅电极13，所述U槽14的内部上方沉积有栅电极5，所述第二N-漂移区12的内部两侧通过离子注入有低掺杂所述P区11，在所述P区11的内部两侧依次通过离子注入高掺杂的第二N+区15和第一N+区10，且所述P区11的内部靠近所述第二N+区15和所述第一N+区10之间注入有高掺杂的P+区16，且所述P+区16、所述第一N+区10以及所述第二N+区15的高度相等；所述第二N-漂移区12的上表面沉积一层第二氧化绝缘层2，所述第二氧化绝缘层2的一侧设置有第一氧化绝缘层1，所述第一氧化绝缘层1的侧面有源极9，且所述源极9的下表面与所述第一N+区10、所述P+区16接触，所述源极9接地，所述源极9的上表面刻蚀长槽8，所述第一氧化绝缘层1的材质与所述第二氧化绝缘层2的材质不同，所述第二氧化绝缘层2的内部沉积有栅极一号3，且所述栅极一号3的数量为两个，两个所述栅极一号3左右相对分布，两个所述栅极一号3之间有隔离层6。
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