龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了具有背面源极或漏极触点选择性的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括在第一多个水平堆叠的纳米线或鳍状物的端部处的第一外延源极或漏极结构，其中，第一导电源极或漏极触点垂直地在第一外延源极或漏极结构的底部下方并与第一外延源极或漏极结构的底部接触，并且其中，第一硬掩模材料在第一导电源极或漏极触点下方并与第一导电源极或漏极触点接触。第二外延源极或漏极结构在第二多个水平堆叠的纳米线或鳍状物的端部处，其中，第二导电源极或漏极触点垂直地在第二外延源极或漏极结构的底部下方并与第二外延源极或漏极结构的底部接触，并且第二硬掩模材料在第二导电源极或漏极触点的下方并与第二导电源极或漏极触点接触。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：第一多个水平堆叠的纳米线，所述第一多个水平堆叠的纳米线与第二多个水平堆叠的纳米线横向间隔开；栅极堆叠体，所述栅极堆叠体在所述第一多个水平堆叠的纳米线和所述第二多个水平堆叠的纳米线上方；第一外延源极或漏极结构，所述第一外延源极或漏极结构在所述第一多个水平堆叠的纳米线的端部处，其中，第一导电源极或漏极触点垂直地在所述第一外延源极或漏极结构的底部下方并与所述第一外延源极或漏极结构的底部接触，并且其中，第一硬掩模材料在所述第一导电源极或漏极触点下方并与所述第一导电源极或漏极触点接触；以及第二外延源极或漏极结构，所述第二外延源极或漏极结构在所述第二多个水平堆叠的纳米线的端部处，其中，第二导电源极或漏极触点垂直地在所述第二外延源极或漏极结构的底部下方并与所述第二外延源极或漏极结构的底部接触，并且第二硬掩模材料在所述第二导电源极或漏极触点下方并与所述第二导电源极或漏极触点接触，所述第二硬掩模材料具有与所述第一硬掩模材料的成分不同的成分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有背面源极或漏极触点选择性的集成电路结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号