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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本申请提供一种传感器结构及其制造方法、晶圆键合方法，传感器结构包括受主衬底、受主衬底上的介质层和介质层上的堆叠层，堆叠层包括沿垂直受主衬底表面的第一方向上依次堆叠的第一掺杂层、本征吸收层和本征引出层，第一掺杂层具有第一掺杂类型，所述本征引出层的引出区域经过第二掺杂类型的掺杂作为掺杂结构。可以在堆叠层朝向受主衬底的一侧设置第一引出层，也可以在掺杂结构背离受主衬底的一侧设置第二引出层，第一引出层用于连接第一电极，第二引出层用于连接第二电极，第一引出层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度，第二引出层的掺杂浓度大于掺杂结构的掺杂浓度。通过低成本实现大尺寸结构，降低了接触电阻，提高了传感器的检测性能。
主权项：1.一种传感器结构，其特征在于，包括：受主衬底；所述受主衬底上的介质层；所述介质层上的堆叠层，所述堆叠层包括沿垂直受主衬底表面的第一方向上依次堆叠的第一掺杂层、本征吸收层和本征引出层，所述第一掺杂层具有第一掺杂类型，所述本征引出层的引出区域经过第二掺杂类型的掺杂作为掺杂结构，所述第一掺杂层、所述本征吸收层和所述本征引出层包括三五族元素；所述堆叠层朝向所述受主衬底一侧的第一引出层，和或，所述掺杂结构背离所述受主衬底一侧的第二引出层，所述第一引出层用于连接第一电极，所述第二引出层用于连接第二电极；所述第一引出层和所述第二引出层包括三五族元素；所述第一引出层具有第一掺杂类型，所述第一引出层的掺杂浓度大于所述第一掺杂层的掺杂浓度；所述第二引出层具有第二掺杂类型，所述第二引出层的掺杂浓度大于所述掺杂结构的掺杂浓度。
全文数据：
权利要求：
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