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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，分别形成第一P型源区、第二P型源区、续流区、P型阱区以及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，形成凹槽，对凹槽进行干氧氧化形成栅介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层，淀积金属，形成源极金属层，能在保证器件低导通电阻的条件下，实现体二极管大续流能力和导通电阻兼具。
主权项：1.一种非对称沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移层；步骤2、在漂移层上部形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，分别形成第一P型源区以及第二P型源区；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成续流区；步骤4、采用离子注入，在漂移层内形成P型阱区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，采用离子注入，在漂移层以及第二P型源区内形成N型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对漂移层以及第二P型源区刻蚀，形成凹槽，对凹槽进行干氧氧化形成栅介质层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层，淀积金属，形成源极金属层。
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