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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体激光器背面金属电极结构及其制备方法。所述背面金属电极结构包括：粘附层、阻挡层、附加层和焊接层。其中，所述粘附层用于覆盖在激光器背面基底上，所述阻挡层覆盖在粘附层上，所述附加层覆盖在阻挡层上，所述焊接层覆盖在附加层上。所述附加层能够导电，且其膨胀系数尽可能接近所述阻挡层的金属膨胀系数。所述附加层能够减少加热处理过程中所述焊接层与粘附层之间金属原子的相互扩散。本发明通过改变传统背面金属电极结构，采用粘附层、阻挡层、附加层和焊接层形成的复合结构，获得了具有低接触电阻、热稳定性高且可靠性好的背面金属电极，克服了传统背面金属电极在金属化过程中高温导致的金属原子相互扩散形成的高阻膜。
主权项：1.一种半导体激光器背面金属电极结构，其特征在于，包括：粘附层、阻挡层、附加层和焊接层；其中，所述粘附层用于覆盖在激光器背面基底上，所述阻挡层覆盖在粘附层上，所述附加层覆盖在阻挡层上，所述焊接层覆盖在附加层上；所述附加层能够导电，且其膨胀系数尽可能接近所述阻挡层的金属膨胀系数；同时，所述附加层能够减少加热处理过程中所述焊接层与粘附层之间金属原子的相互扩散。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种半导体激光器背面金属电极结构及其制备方法
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