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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要：本发明公开了一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，属于光电探测技术领域；其包括基底、二硫化钼、硒化镉量子点、源电极和漏电极；二硫化钼位于基底上表面；所述硒化镉量子点、源电极和漏电极均位于二硫化钼上表面，源电极和漏电极位于硒化镉量子点两端。本发明相较于现有的可见光电探测器，具有更高的光电流、更大的响应度和比探测率；比现有可见光电探测器操作更简便、成本更低，具有更高的研发性价比。
主权项：1.一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器，其特征在于，包括基底1、二硫化钼2、硒化镉量子点3、源电极4和漏电极5；所述二硫化钼2位于基底上表面；所述硒化镉量子点3、源电极4和漏电极5均位于二硫化钼上表面，源电极4和漏电极5位于硒化镉量子点3两端。
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权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种硒化镉量子点增强的二硫化钼光电探测器
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