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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种基于半导体开关的CO2调Q脉冲激光器，属于属于CO2激光器领域。该系统基于半导体受到能量大于价带的光子激发后，会产生大量自由载流子，从而对红外波段由高透射状态转变为高反射状态的原理而实现。该系统由谐振腔结构和调Q结构组成，谐振腔结构包括全反镜、输出镜、激光工作介质，调Q结构包括半导体开关、两台不同参数的ND:YAG激光器。该系统具有响应速度快、结构简单、峰值功率高、输出稳定、脉冲质量较好的优势，是一种新型CO2激光器调Q方式。
主权项：1.一种基于半导体开关的CO2调Q脉冲激光器，包括全反镜、输出镜、激光工作介质，激光工作介质位于与全反镜垂直的激光谐振腔的主轴上，其特征在于，还包括半导体开关和控制光束，所述半导体开关位于全反镜和输出镜之间，且半导体开关的中心位于激光谐振腔的主轴上，与主轴的夹角为布儒斯特角，所述控制光束用于入射至半导体开关上控制半导体开关的透射反射状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种基于半导体开关的CO2调Q脉冲激光器
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