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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
摘要：本申请提供了一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决了屏蔽栅沟槽型器件容易出现尖端放电现象而影响稳定性的问题，本申请方案通过在对多晶硅进行回刻的过程中，在反应腔中利用相应的气体组合对多晶硅层进行刻蚀，使得多晶硅的尖端结构被刻蚀平坦化，增大了工艺窗口，有效地避免了器件出现多晶硅的尖端放电情况，有助于保障器件性能的稳定性。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括：使用碳氟气体对衬底上形成的沟槽中的多晶硅层表面的氧化硅层进行第一次蚀刻处理；使用第一混合气体对所述多晶硅层进行刻蚀，以蚀刻形成目标形貌，所述第一混合气体至少包括氯气；使用清洗气体对经过蚀刻处理后得到的刻蚀副产物进行清洗处理；使用第二混合气体对所述多晶硅层进行平坦化蚀刻，所述第二混合气体至少包括溴化氢气体；使用清洗气体对经过蚀刻处理后得到的刻蚀副产物进行清洗处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法
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